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IGBT模块

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英飞凌IGBT模块额定电流提升至150A

新电子

英飞凌科技(Infineon)宣布扩充IGBT模块EconoPIM 3包装系列，新款模块的额定电流提升50%，从100A增加到150A。 全新功率模块以同样的封装尺寸，满足对较高功率密度日益增加的需求，典型应用包括电梯、手扶梯、风扇或帮浦内的马达控制。 该模块的特色为高度整合各项功能，像是每个模块均内含三相整流器、剎车斩波器、三相变频器，以及用于测量温度的NTC热敏电阻。 全新EconoPIM 3的阻断电压为 1200V，*高额定电流达150A，是市场上同级设计中*高的电流规格。其外壳配备的底板符合业界标准尺寸，可直接取代现有设计，轻松又便利。 在马达应用中，EconoPIM 3以同样的尺寸空间，可提升多达30%的输出功率。 此模块整合 IGBT4芯片与Trenchstop技术，该技术的高耐用度与可靠性已通过实证考验。

STMicroelectronics ACEPACK IGBT模块开售 提供高集成度功率转换

达普芯片交易网

*新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK? IGBT模块。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模块属于专为工业应用而开发的新型塑料电源模块系列，可为3 kW – 30 kW的工业和电源管理解决方案提供高成本效益、高集成度的功率转换功能。这些稳健的模块兼具高功率密度和可靠性，实现了低导通电阻与高开关性能的**组合。贸泽电子供应的ST ACEPACK IGBT模块有两种紧凑型配置，并采用ST的第三代沟槽式场截止IGBT。设计师可以选择six-pack模块或功率集成模块 (PIM)。six-pack模块内置六个IGBT和续流二极管，可用作三相逆变器。PIM是转换器-逆变器-制动器 (CIB) 模块，集成有三相整流器、三相逆变器和处理负载反馈能量的制动斩波器，提供完整驱动功率级。这两种模块还内置有NTC热敏电阻，用于感测和控制温度。这些经过优化的IGBT模块采用ACEPACK 1或尺寸更大的ACEPACK 2封装，内置650

IGBT模块

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ROHM全SiC功率模块的产品阵容有助于大功率应用的高效化与小型化

ROHM全SiC功率模块的产品阵容有助于大功率应用的高效化与小型化

华强电子网

Littelfuse的新型半桥IGBT模块将额定电流提升至600A

达普芯片交易网

Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模块功率半导体产品组合的*新产品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比该产品组合之前产品的*高额定电流(450A)，新型半桥IGBT模块系列(1200V，600A)可为设计师提供显著更高的额定电流，能够依托现代IGBT技术可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 该模块的紧凑(152 x 62 x 17毫米)封装可简化热管理，并支持更加简单、精密的系统设计。 该多芯片模块能够降低焊点与PC电路板空间要求。 本次发布的产品采用WB配置封装，功率范围广泛，可提供不同的额定电流。MG12600WB-BR2MM系列产品的应用包括电源控制应用，例如灵活、高效的工业和伺服驱动器、太阳能逆变器、大功率转换器、UPS和焊接设备。“该1200V、600A的模块扩大了我们业内标准模块封装的电流范围，让客户能够采用同样的散热和PC电路板设计，在自己的平台内推出多种额定功率。”Littelfuse功率半导体技术战略全球经理Kevin Speer博士表示。 “该半导体技术可保持较高的转化效率，而多芯片模块则可实现精密的系统设计，减少故障点，提高可靠性。”M

新能源车成功率半导体市场新契机

中国电子报

如果说中央处理器（CPU）是一台计算机的心脏，功率半导体就是一部电机的心脏，是整个系统实现对电能高效产生、传输、转换、存储和控制的关键。在“十三五”期间，随着我国产业转型升级战略的推进，加快功率半导体产业发展与技术水平提高已经是当务之急。为此，本报推出“做强另一颗芯”——中国功率半导体产业发展系列报道。赛迪顾问发布的数据显示，受电子信息制造业生产增速总体加快的影响，2016年我国功率器件市场规模持续扩大，达到1496.1亿元，同比增长7.2%，增速较2015年有所回升。然而，观察下游应用市场的拉动效力，2017年以手机和移动通信基站为代表的通信类整机产品产量将有所回调，相关功率器件产品市场规模增速将有所放缓，而工业控制类产品仍将保持稳定、消费电子穿戴设备等产品尚未形成爆发式增长，计算机产品快速下滑……在此情况下，汽车电子市场对于功率半导体拉力的重要性就不断凸显出来，成为2017年中国功率器件市场增长的关键因素。中国功率半导体行业2017年初即取得良好开局：在收购恩智浦公司RF Power部门后，建广资产又以27.5亿美元收购了恩智浦公司标准产品部门，该部门主要产品之一是功率半导体MOS

扩增全碳化硅功率模块阵容 协助高功率应用程序

CTIMES

近年SiC由于节能效果**，广为汽车或工具机等所采用，并可望有更大功率的产品阵容。 而为了***活用SiC产品所具有的独特高速开关性能，在类似功率模块产品等额定电流大的产品方面，尤其需要研发新封装以抑制开关时突波电压﹙surge voltage﹚的影响。 半导体制造商ROHM于2012年3月率先开始量产由全碳化硅构成内建型功率半导体组件的全SiC功率模块。 之后陆续推出高达1200V、300A额定电流的产品，广为各种不同领域所采用。 本次使用新研究封装在IGBT模块市场中成功扩增涵盖100A到600A等主要额定电流范围的全SiC模块阵容，可望进一步扩大需求。ROHM针对工具机用电源、太阳能发电功率调节器﹙Power Conditioner﹚或UPS等变频器﹙inverter﹚、转换器﹙converter﹚业已研发出1200V 400A、600A额定的全碳化硅﹙Full SiC﹚功率模块BSM400D12P3G002、BSM600D12P3G001。本产品藉由**研发模块内部构造及散热设计的优化封装达到额定600A，因此可进一步探讨工具机用大容量电源等更高功率应用程序。 而且，由于开关损

中车株洲所IGBT亮相复兴号高铁

中国青年报

中车株洲所技术人员正在操作。胡小亮/摄6月26日上午11时05分，两列“复兴号”从京沪两地同时对开**。这是中国标准动车组的正式亮相。中国标准少不了“中国芯”——大功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术。正是它悄然把控着机车的自动控制和功率变换。这项被誉为“皇冠上的明珠”的现代机车车辆技术，被德国、日本等国把控了30年。如今，由中车株洲电力机车研究所有限公司（以下简称“中车株洲所”）研发突破，实现了自主国产化。国家难题高速和重载是现代机车车辆装备发展的两个重要方向，两者的关键都在于给机车提供一个强大而持续发力的“心脏”——牵引电传动系统。而牵引电传动系统里，一块巴掌大小的IGBT模块，成为“命脉”。过去，我国机车车辆用IGBT模块都要从德国、日本进口，特别是在高等级的IGBT器件上，更没有中国人的一席之地。2008年，随着高铁建设的加快，需求倍增，一个8列的动车组就需要152个芯片，成本高达200万元。每年中国需要10万只芯片，总金额高达12亿元。中车株洲所IGBT项目的一位研发负责人说，国际产品销售市场中，中国并非优先级，我们买的价格贵，一个模块就高达1万多元，而且只能买成品，产品交

IGBT模块

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电动汽车的电机驱动平台是怎样的？

电动汽车的电机驱动平台是怎样的？

互联网

新能源汽车近两年来飞速发展，国家也出台一系列政策予以强力的支持。工信部在其《中国制造2025》中明确了节能与新能源汽车产业发展战略目标，到 2020年，动力电池、驱动电机等关键系统达到******，国内市场占有率达到80%；到2025年，新能源汽车年销量达到300万辆。北京晶川电子技术发展有限责任公司早在1998年就为中国自行设计生产的新能源汽车提供关键的IGBT模块，用于动力系统的电机驱动。现在，晶川电子又推出了新能源汽车动力系统的电机驱动平台，为中国产品开发工程师提供成熟的解决方案，助力中国新能源汽车的发展。本平台的系统结构如图1所示，具体实现时，将驱动部分与控制部分分开布置，驱动和驱动电源集中布置在一块与IGBT模块等大小的PCB板上，独立安装于IGBT模块上方，此方式尽*大可能的减小了空间需求。图1在控制部分，主控核心采用英飞凌汽车级32位单片机TC1782，具有高达160MHz全温度范围的总线频率，超强浮点运算能力，32路12bitADC通道，多样的定时器结构，使得对电机多种算法相结合控制成为可能。TC1782是一款哈弗架构且有非对称双核（主核Tricore和外设控制协处理器

用于能源技术的低电感定制式电力电阻

电子发烧友网

集中发电技术正在经历一场革新。传统发电厂（如燃煤、燃气及核能发电厂）逐渐被可再生、分散化的解决方案（如风力、太阳能或生物质发电厂）取代。后一类电厂通常遵循相同的原理，亦即使用可再生能源（太阳能、风力和生物质）并通过一个或更多的转变过程产生直流或交流电压或电流。由于能源生产者是分散的，所以越来越多的电能不再馈入高压电力系统，而是馈入中压和低压电力系统。因此，未来将越来越需要采用储能器件的智能电力系统管理，以多变的方式满足峰值负载需求。这些发电厂的核心组件是能够以同步方式和合适的质量将产生的电能提供给电力系统或消费者的电力转换器。这些发电厂不仅会向各个组件提出极端要求，而且它们还必须在艰苦环境条件下达到约20年之久的使用寿命。近年来，电力转换器的发展重点已转向更高功率密度和半导体的更高开关频率。**个发展使得改进性价比成为可能，因为能够在保持系统成本几乎不变的同时增加输出功率。**个发展增加了系统效率，因为由于开关频率的增加，系统损耗随之降低。图1：电力转换器的概念电路图电力转换器从电路图中的输入侧（左）移动到消费侧（右），有一个用于限制充电电流的电阻（RI），用于保护电容抗干扰。通电后，

功率半导体的新机遇在哪里？

汽车电子应用

随着功率半导体器件在移动通讯、消费电子、新能源交通、发电与配电领域发挥着越来越重要的作用，“中国智造”时代的来临给功率半导体行业带来新的发展机遇和增长动力。氮化镓、碳化硅宽禁带半导体材料和器件、IGBT、射频通讯等*新技术都将推动应用市场的快速发展。 苏州能讯高能半导体有限公司总裁张乃千在“用于4G基站GaN功率放大器”的演讲中表示，未来移动通信对于基站而言，需要的频率更高，更宽的带宽，更高效率的功率放大器。由于出色的物理特性，氮化钾射频设备在功率放大器展示出了出色的特质，尤其是在变频启动到3.5GHZ。氮化钾主要用在高功率的场合，由于功率密度比较高，每个环节都会产生热阻，所以散热是一个很复杂的问题，很多同仁也在不断的付出努力解决。氮化钾行业目前已经开始用于移动基站的功率放大器上。他相信未来经过大家的共同努力，氮化钾技术会变得越来越成熟。 Skyworks **技术总监David在“Front End Power Management for the Next Generation”的演讲中表示，不断进化的单元系统正在驱动带宽更宽，提升波峰因素以及高平均功率。APT和ET架构在一个广泛

熊本地震让众人看清日本半导体产业并未衰落

电子发烧友

不知道从什么时候开始，大家都在唱衰日本半导体。很多时候大家引用的依据就是在全球半导体二**上日本厂商从十家左右跌倒现在的一家。同时如夏普、SONY、Toshiba等标杆性企业卖楼，卖业务部门，精简企业架构的时候，国内的媒体就开始写就《大法卖楼，信仰不再》这类的文章。 在我们大家都差点相信日本半导体正在衰落的时候，熊本一场地震，把我们给震醒了。熊本地震为何影响巨大熊本位于日本九州岛，而九州岛是日本集半导体产业的重要生产基地。这是有其历史与环境因素的。早在1967 年，日本三菱电机便在熊本县开始组建半导体的生产体系，而且这离1959 年TI 发表IC 集成电路的**才不到几年，接下来Toshiba、NEC 也相继进入在当地建设半导体厂，让日本九州几乎成了日本的半导体中心。地理环境、政策造就日本硅谷日本半导体产业会大量的在九州设厂不外乎有几个重要因素，首先半导体的生产需仰赖大量的水与电力，九州的电力供给系统刚好可以满足所需外，阿苏山周边也有丰富的山泉水，可做为半导体硅晶片洗净的的原水。除此之外，当时九州全岛期有五个机场，让小体积抢时效的集成电路零组件得以快速的运送出去，不用透过效率相对较低的

日本半导体正在衰落 一场地震让大家清醒了

维库电子市场网

不知道从什么时候开始，大家都在唱衰日本半导体。很多时候大家引用的依据就是在全球半导体二**上日本厂商从十家左右跌倒现在的一家。比如夏普、SONY、Toshiba等标杆性企业卖楼，卖业务部门等众多行业事件，在我们大家都差点相信日本半导体正在衰落的时候，熊本一场地震，把我们给震醒了。熊本地震为何影响巨大熊本位于日本九州岛，而九州岛是日本集半导体产业的重要生产基地。这是有其历史与环境因素的。早在1967 年，日本三菱电机便在熊本县开始组建半导体的生产体系，而且这离1959 年TI 发表IC 集成电路的**才不到几年，接下来Toshiba、NEC 也相继进入在当地建设半导体厂，让日本九州几乎成了日本的半导体中心。地理环境、政策造就日本硅谷日本半导体产业会大量的在九州设厂不外乎有几个重要因素，首先半导体的生产需仰赖大量的水与电力，九州的电力供给系统刚好可以满足所需外，阿苏山周边也有丰富的山泉水，可做为半导体硅晶片洗净的的原水。除此之外，当时九州全岛期有五个机场，让小体积抢时效的集成电路零组件得以快速的运送出去，不用透过效率相对较低的铁路或船来运输，九州当时有充沛的女性劳动人口，也可以满足半导体生

IGBT模块

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华微电子:中国IGBT新龙头,进口替代大蓝海

安信证券

半导体分立器件具备核心价值,**功率器件IGBT进口替代大蓝海:中国半导体产业发展进入趋势性拐点,是自主可控信息**发展的*高层级。半导体分为集成电路和分立器件两大类产品,此前国家政策大力扶持集成电路发展,其实分立器件尤其在**功率器件如IGBT等领域,是中国半导体产业链的相对薄弱环节,90%份额仍掌握在海外巨头手中,进口替代空间更大,未来也存在政策扶持空间。 中国IGBT新龙头,变化正在发生:中国IGBT**企业不多,南车时代、比亚迪等均主要为自己的高铁和新能源汽车做配套,华微电子属于国内在消费类IGBT市场的龙头企业,此前主要产品是第四代产品,和国际龙头差距较大,近期公司重点推进第六代产品研发,未来有望进入核心客户目录,向白色家电、消费类电子、**、新能源汽车等新兴领域进军。如IGBT模块在充电桩成本占比接近15%,有望显著受益于充电桩和新能源汽车大发展。业绩谷底,反转弹性较大:公司在公告中提出未来经营发展规划,提出到2018年营业收入和利润都要翻一番。则营业收入应达到24亿左右,而公司现净利润率3%,处于历史较低水平,参考公司历史业绩和海外同行业公司经营状况,公司合理净利润率应在

英飞凌和阳光电源加强在华合作 促进新能源发??

元器件交易网

英飞凌科技（中国）有限公司（以下简称“英飞凌”）和阳光电源股份有限公司（以下简称“阳光电源”）于1月8日，在安徽省合肥市举行盛大庆典，庆祝英飞凌以十万片 PrimePACKTMIGBT模块助力阳光电源实现新突破，及联合实验室正式成立，这标志着双方在可再生能源和新能源领域将开展先进技术合作。作为光伏逆变器市场的***，阳光电源是*早采用PrimePACKTM IGBT模块这种**大功率器件的变流器制造商之一。英飞凌作为功率半导体市场的佼佼者，不仅拥有高性能、高能效的IGBT模块全系列产品，而且也是世界上**家开发、生产和供应PrimePACKTMIGBT模块的制造商。阳光电源对 PrimePACKTM 的支持，使得 PrimePACKTM 在光伏逆变器、风能变流器、储能变流器等领域广泛应用，从而支持 PrimePACKTMIGBT模块成为行业标准。阳光电源副总裁赵为博士和英飞凌中国区总裁兼执行董事赖群鑫先生为联合实验室揭幕。该实验室设立在阳光电源的总部，这为双方采用*新电力电子技术开发新产品提供了良好的契机。在揭幕仪式上，英飞凌介绍了其超前的 .xt技术，阳光电源将考虑采用这项突破性的新

加快IGBT研发与产业化

中国电子报

本报记者 陈艳敏**人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英在接受《中国电子报》记者专访时说，他向大会提出了加快IGBT（绝缘栅双极晶体管）产业发展的建议，建议国家高度重视IGBT产业发展。IGBT应用需求巨大我国IGBT消费市场目前的规模约80亿元，到2020年可能达到300亿元的规模。谢超英向《中国电子报》记者介绍说，IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术**的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体技术已被广泛应用。“目前，中国是世界上*大的功率半导体器件消费国，但作为产业链**的功率芯片则全部依赖进口，这势必影响国民经济的**、可持续发展。建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。”谢超英对记者说，我国IGBT技术取得了一定突破，应用需求巨大。IGBT芯片技术方面，中国南车建成全球**条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线，去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片

中国制造2025强劲推动功率半导体市场

维库电子市场网

今年5月，国务院正式发布了《中国制造2025》强国战略，明确提出将先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、**数控机床和机器人等列为突破发展的十大重点领域，推动中国从制造业大国跻身世界制造强国之列。 随着电力电子在能源管理、发电与配电领域发挥着重要的作用，紧握“中国智造”来临的新机遇，功率、控制市场迎来了强劲的增长驱动力。中国电子电力市场的强劲势头也预期将延续至2025年，CCID的数据预计中国IGBT市场会由2010年的8.94亿美元跃升至2015年的24亿美元，期望达到2020年的55亿美元。 英飞凌科技香港有限公司工业功率控制事业部总监马国伟博士指出，中国制造2025的核心在于自动化、智能化、新能源、高能效以及资源的有效利用。它涉及到先进轨道交通装备、电力设备、节能与新能源汽车、农业机械装备、**数控机器床和机器人、新一代信息技术、海洋工程装备及高技术船舶、生物医疗及高性能医疗器械、新材料、航空航天装备等多个应用领域。“可以说，中国制造2025与英飞凌的企业战略不谋而合，英飞凌的大功率半导体在发电、输配电和电力使用等整个电能供应链中发挥了全方位的关键作用。”马国伟说。 他解

中车研制出*高电压等级高铁“中国芯”6500V／200A IGBT模块

互联网

从中国中车股份有限公司了解到，中国中车永济电机公司已自主研制出我国*高电压等级的高铁“中国芯”—— 6500V/200AIGBT模块。该模块的诞生，标志着我国拥有了完全自主知识产权的世界*高电压等级IGBT模块设计和制造技术，有利于推动我国高铁和大功率机车核心技术的自主化。中国科学院院士、中国中车**技术顾问邹世昌告诉记者，中国中车永济电机公司研发的高压大功率 6500V/200AIGBT模块，填补了国内在高压IGBT模块自主开发领域的技术空白，为中国铁路机车为代表的轨道交通装备及其相关产业提供强劲的 “中国芯”，将改变国内高压大功率IGBT模块完全依靠进口的局面。据了解，作为新一代电力半导体器件，IGBT(绝缘栅双极型晶体管)广泛应用于新能源、轨道交通、电动汽车、智能电网等领域。作为高铁列车牵引传动系统的核心部件，IGBT模块直接影响着高铁列车能否瞬间起跑、舒适飞驰和稳定停车。我国是世界上*大的IGBT消费国，IGBT消费市场目前约有80亿元的规模。然而，我国目前还没有形成独立自主的、完整的、强大的IGBT产业体系，高压大功率IGBT芯片一直被国外企业垄断。

IGBT模块

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中国首批国产8英寸IGBT芯片达******

互联网

继国内首条8英寸IGBT专业芯片线在南车株洲所投产后，该所又传来好消息：近日，载有首批8英寸IGBT芯片的模块，在昆明地铁车辆段完成段内调试，并稳定运行一万公里，各项参数指标均达******。此次试运行的IGBT模块，由南车株洲所旗下南车时代电气自主研发的8英寸IGBT芯片封装而成，IGBT芯片制造、封装、测试的整套技术均在公司研制和生产。它的诞生到应用，已彻底打破国外**IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完**产化。作为电力电子装置的“心脏”，IGBT在国家战略领域中不可或缺。但是，国内IGBT技术起步较晚，发展艰难而缓慢。国内大功率IGBT市场因此一直被国外公司垄断。二十世纪六十年代初,株洲所开始培养我国*早的半导体器件研发队伍。改革开放后，该所从美国西屋公司引进一条3英寸大功率半导体生产线，通过消化和吸收，先后成功研制出5英寸系列普通晶闸管和整流管及世界上**只6英寸晶闸管。2008年，南车时代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司，2012年，株洲所投资15亿元，在株洲建设起国内**条8英寸IGBT专业芯片线，并于今年6月正式投产。10月，自主IGBT模块成功通过功率考核试

中国南车：大功率半导体国产化“三部曲”

科技日报

■**行动派五月初，我国首条8英寸IGBT芯片生产线在株洲正式投产。IGBT，学名绝缘栅双极晶体管，是全球*为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统，其地位相当于计算机世界中的“CPU”。当前我国IGBT产品整体发展处于起步阶段，株洲所是我国****掌握IGBT从芯片设计—模块封装—组件—应用全套技术的企业，也是**建立了1200伏及以上高等级功率IGBT技术及模块技术完善的产品体系的企业。这，不仅得益于企业50年大功率半导体器件研制的历史积淀，更归功于它跨越大功率半导体国产化“三部曲”时的巧劲与智慧。“并购曲”：资本运作与技术****之作2008年10月31日，中国功率半导体产业具重大意义的历史性日子，株洲所下属子公司南车时代电气成功收购加拿大丹尼克斯半导体公司75%的股权。丹尼克斯公司是世界上少数的集设计、研发和制造能力于一体的独立的电力电子器件制造商之一，其拥有的一条4英寸IGBT芯片设计、制造、模块封装的完整全套技术，是中国南车所看中的，尽管这条技术线并不能完全满足中国市场的需求。而丹尼克斯公司缺乏的应用技术市场与资金，恰恰是株洲所的优势所在。这样“双赢”的并购，可称“

IGBT模块应用指南

IGBT是绝缘栅双极型晶体管(IsolatedGateBipolarTransistor)，它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。因此，IGBT的新技术、新工艺不断有新的突破;应用频率硬开关5KHz～40KHz，软开关40KHz～150KHz;功率从五千瓦到几百千瓦的应用场合。IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机，高频超声波，逆变器，斩波器，UPS/EPS，感应加热)提供了新的商机。为了使初次使用者正确用好IGBT模块，*大限度地发挥IGBT模块的作用，以下是*基本的使用说明。一、IGBT模块的选择依据装置负载的工作电压和额定电流以及使用频率，选择合适规格的模块。用户使用模块前请详细阅读模块参数数据表，了解模块???各项技术指标;根据模块各项技术参数确定使用方案，计算通态损耗和开关损耗，选择相匹配的散热器及驱动电路。二、IGBT模块的使用1.防止静电IGBT是静电敏感器件，为了防止器

Vishay新款IGBT模块为太阳能逆变器和UPS提供完整集成方案

华强电子网

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出专门为串接太阳能逆变器和**率不间断电源(UPS)设计的新款IGBT电源模块。Vishay Semiconductor模块在采用压合技术的单片封装内组合了超快Trench IGBT、高效HEXFRED?和FRED Pt?二极管，用热敏电阻轻松实现热管理，为基于三电平中性点钳位(NPC)拓扑和交叉多通道MPPT(*大功率点跟踪)的升压转换器提供了完整的集成方案。通过集成设计，今天发布的这些器件可帮助设计者缩短产品上市时间，提高系统整体性能。VS-ENQ030L120S的集电极到发射极的击穿电压为1200V，集电极电流达到30A，适合三电平NPC拓扑。VS-ETF075Y60U和VS-ETF150Y65U可用于三电平逆变器级，集电极电流分别为75A和150A，集电极到发射极的击穿电压分别为600V和650V，可在+175℃高温下工作。15A VS-ETL015Y120H适用于双路升压转换器，集电极到发射极的击穿电压为1200V，采用高效硅启动二极管，集成62A旁路二极管、电池板短路全电流反向极性保护二极管。所有器件均采

我首批完**产化8英寸IGBT芯片装车试运行

科技日报

科技日报讯（记者俞慧友通讯员刘昳）继国内首条8英寸IGBT专业芯片线在南车株洲所投产后，该所又传来好消息：近日，载有首批8英寸IGBT芯片的模块，在昆明地铁车辆段完成段内调试，并稳定运行一万公里，各项参数指标均达******。此次试运行的IGBT模块，由南车株洲所旗下南车时代电气自主研发的8英寸IGBT芯片封装而成，IGBT芯片制造、封装、测试的整套技术均在公司研制和生产。它的诞生到应用，已彻底打破国外**IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完**产化。作为电力电子装置的“心脏”，IGBT在国家战略领域中不可或缺。但是，国内IGBT技术起步较晚，发展艰难而缓慢。国内大功率IGBT市场因此一直被国外公司垄断。二十世纪六十年代初,株洲所开始培养我国*早的半导体器件研发队伍。改革开放后，该所从美国西屋公司引进一条3英寸大功率半导体生产线，通过消化和吸收，先后成功研制出5英寸系列普通晶闸管和整流管及世界上**只6英寸晶闸管。2008年，南车时代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司，2012年，株洲所投资15亿元，在株洲建设起国内**条8英寸IGBT专业芯片线，并于今年6月正式投产。10月，

IGBT模块

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Littelfuse公司宣布推出IGBT模块和整流器二极管模块

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可提供标准和定制解决方案，确切满足要求Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和*高1200V、600A的额定值，能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。 此类产品设计用于多种功率控制应用，包括交流电机控制器、运动/伺服控制器、逆变器、电源以及太阳能逆变器。 新的相臂和常规阴极电路整流器二极管模块的额定值*高为1800V和200A，提供更高的热效率以保证更长的使用寿命和可靠性能。 其符合行业标准的S和A封装尺寸使标准二极管具有*高200A的输出电流。 该整流器二极管模块设计用于常规高压应用，如高压稳压电源、照明电路、温度和电机速度控制电路、UPS和电池充电器。 这两个产品系列均提供标准和定制解决方案，以确切满足电路设计人员的性能标准。Littelfuse IGBT模块功率半导体业务发展经理Richard Bono 表示：“这些IGBT模块非常适合用于制造灵活高效的电机控制器和逆变器应用。这些产品非常适用于工业电子产品，比如工业驱动与运动控制硬件、

IGBT保管、使用、选择时的技巧

提出选择和安装过程中应该注意的方面，对IGBT的特性注意事项进行了研讨。1 IGBT模块简介相信大家都知道IGBT是绝缘栅双极型晶体管缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、**率应用中占据了主导地位。它融和了这两种器件的优点，IGBT的等效电路如图...

IGBT在大功率斩波中问题的探讨

IGBT在大功率斩波中问题的探讨斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行**和可靠性，因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET(场效应晶体管)与GTR(大功率达林顿晶体管)结合，并由前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。...

可控硅模块，整流模块，IGBT模块如何选择散热器

可控硅，整流管，可控硅模块，整流模块，IGBT模块，这些电力电子半导体器件在使用时都需要与散热器搭配使用。那应该如何选择散热器呢? 用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积;②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷;③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。另外，还有型材散热器，如图：下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积=(散热器周长)×(散热器长度)+(截面...

Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块

Littelfuse公司日前宣布，为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和*高1200V、600A的额定值，能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。 此类产品设计用于多种功率控制应用，包括交流电机控制器、运动/伺服控制器、逆变器、电源以及太阳能逆变器。 新的相臂和常规阴极电路整流器二极管模块的额定值*高为1800V和200A，提供更高的热效率以保证更长的使用寿命和可靠性能。 其符合行业标准的S和A封装尺寸使标准二极管具有*高200A的输出电流。 该整流器二极管模块设计用于常规高压应用，如高压稳压电源、照明电路、温度和电机速度控制电路、UPS和电池充电器。 这两个产品系列均提供标准和定制解决方案，以确切满足电路设计人员的性能标准。功率半导体业务发展经理Richard Bono 表示：“这些IGBT模块非常适合用于制造灵活高效的电机控制器和逆变器应用。这些产品非常适用于工业电子产品，比如工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源、开关电源和焊接机械。”